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紫外光探测器专利阐明

来源:深圳中创仪器 时间:2016-02-17 15:09 点击:
要求(专利)号:CN200810104424.7要求日:2008.04.18
揭露(布告)号:CN101261156揭露(布告)日:2008.09.10
主分类号:G01J1/42(2006.01)I领域分类:
分类号:G01J1/42(2006.01)I;G01J11/00(2006.01)I
要求(专利权)人:我国石油大学(北京)
地址:102249北京市昌平区府学路18号
国省代码:北京;11
创造(规划)人:刘昊;赵嵩卿;周娜;赵卉;高磊;王爱军;赵昆
专利署理组织:北京三友知识产权署理有限公司
署理人:郊野
★ 摘要
   本创造供给一种紫外光探测器,该紫外光探测器最少包含:一个光传感器,所述光传感器最少包含一个二氧化硅光传感器芯片、两个电极和两个输出端,其间所述两个电极坐落所述二氧化硅光传感器芯片的一个侧面上,两个输出端别离与两个电极相连接;以及一个外壳,所述光传感器坐落所述外壳中。依据本创造的紫外线探测器使用惯例资料二氧化硅制造,而且呼应速度快,构造简略。
★ 主权项
   一种紫外光探测器,该紫外光探测器最少包含:一个光传感器,所述光传感器最少包含一个二氧化硅光传感器芯片、两个电极和两个输出端,其间所述两个电极坐落所述二氧化硅光传感器芯片的一个侧面上,两个输出端别离与两个电极相连接;以及一个外壳,所述光传感器坐落所述外壳中。
 

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